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【
名 稱 】: 《硅片生產(chǎn)技術(shù)、硅片制造方法、硅片清洗方法及裝置》 |
| 【 日 期 】:
2011 |
| 【
冊 數(shù) 】: 全套 |
| 【
原 價 】:
380 |
| 【
現(xiàn) 價 】:
320 |
| 【上傳日期】:
2011年6月2日19點40分22秒 |
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01、制造高平度硅片的方法
02、硅塊及硅片的制造方法
03、一種硅片研磨載體的制作方法
04、一種太陽能硅片清洗劑
05、大面積硅片的旋轉(zhuǎn)腐蝕系統(tǒng)和方法
06、硅片電鍍用的科研實驗系統(tǒng)
07、一種硅片腐蝕液
08、一種光刻機硅片臺雙臺交換系統(tǒng)
09、一種半導(dǎo)體硅片的減薄制造工藝
10、太陽能硅片的切割制絨一體化加工方法及裝置
11、太陽能電池硅片翹曲的解決方法
12、硅片表面的處理方法
13、硅片外延線性缺陷的測定方法
14、去除硅片背面氮化硅膜的方法
15、用于平滑轉(zhuǎn)移方硅片的機械工具及其轉(zhuǎn)移方法
16、多平臺光刻機硅片水平控制和自動對焦系統(tǒng)及其實現(xiàn)方法
17、半導(dǎo)體硅片手動作業(yè)的工作臺面及其制造方法
18、用碎硅片制備的太陽電池及其制備方法
19、半導(dǎo)體硅片化學(xué)機械拋光用清洗液
20、用于硅片臺的氣動真空控制系統(tǒng)
21、一種增進硅片級封裝(WLP)可靠度的封裝結(jié)構(gòu)
22、一種短波長光輔助硅片直接鍵合方法
23、加工研磨硅片載體的專用模具
24、單晶硅片水基清洗劑
25、多晶硅片水基清洗劑
26、半導(dǎo)體硅片的清洗裝置及清洗方法
27、一種硅片邊緣標識方法
28、硅片級金屬測試結(jié)構(gòu)電遷移測試中的溫度修正方法
29、基于多傳感器數(shù)據(jù)融合的硅片預(yù)定位系統(tǒng)
30、一種硅片級電遷移測試加熱器結(jié)構(gòu)
31、硅片及其制造方法，以及硅單晶的培育方法
32、硅片生產(chǎn)中使用的石墨舟
33、硅片生產(chǎn)中的載片器和載片器上的掛鉤
34、在單晶硅片表面制備碳納米管復(fù)合薄膜的方法
35、批量硅片曝光的方法
36、硅片表面金屬電極制作方法及開槽器
37、單晶硅片表面磷酸基硅烷碳納米管復(fù)合薄膜的制備方法
38、硅片研磨表面劃傷的控制方法
39、硅片上制作納米孔的方法
40、一種清洗單硅片的方法及裝置
41、熱蒸發(fā)鍍金硅片合成疏水性二氧化硅納米纖維的方法
42、蘸取式硅片制作方法
43、硅片切片的新方法
44、基于SOI硅片的非制冷紅外傳感器及其陣列和制造方法
45、高效太陽能電池用微晶多晶硅片無切割制備方法
46、一種硅片表面顆粒定點清除系統(tǒng)及方法
47、一種機械手自動硅片取放系統(tǒng)及方法
48、單晶硅錠和硅片、及其生長裝置和方法
49、一種投影式光刻機中硅片平臺高度控制系統(tǒng)及方法
50、層狀奈米氧化硅片改質(zhì)聚酰胺酸樹脂組合物及由其制備的聚酰亞胺薄膜
51、一種硅片預(yù)對準裝置
52、太陽能電池制造中同時形成硅片絨面及PN結(jié)的方法
53、用于切割超薄硅片的方法和裝置
54、硅片的制造方法
55、N型硅片上制造太陽能電池的方法
56、一種用于集成電路襯底硅片的清洗劑及其清洗方法
57、一種特殊結(jié)構(gòu)的硅片、其用途和制備方法
58、一種去除硅片背面氮化硅的方法
59、一種多孔硅片及其制備方法
60、在SOI硅片上制造壓阻式微懸臂梁傳感器的方法
61、硅片表面接觸孔的制作方法
62、一種減小硅片應(yīng)力的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝方法
63、濕法去除硅片背面鈷沾污的方法
64、利用濕法腐蝕設(shè)備處理硅片的方法
65、一種自動調(diào)節(jié)化學(xué)機械拋光設(shè)備硅片研磨壓力的方法
66、單晶硅片表面自潔性二氧化鈦納米薄膜的制備方法
67、一種減少等離子損傷的硅片卸載工藝
68、一種硅片卸載工藝
69、一種硅片脫附工藝
70、一種硅片工藝試驗方法
71、一種硅片卸載工藝
72、一種去除刻蝕工藝后硅片表面顆粒的等離子體清洗方法
73、一種在硅片上化學(xué)鍍銅的方法
74、p型單晶硅片的表面處理方法
75、n型單晶硅片的表面處理方法
76、薄化硅片方法
77、高精度硅片臺及其用途
78、一種提高產(chǎn)量和減小硅片表面粗糙度的硅片卸載工藝
79、一種硅片刻蝕工藝處方的控制方法
80、具有視覺傳感器的硅片傳輸系統(tǒng)及傳輸方法
81、具有CCD傳感器的硅片傳輸系統(tǒng)及傳輸方法
82、一種將硅片的中心放置在靜電卡盤中心的方法
83、硅片研磨液
84、用以改善硅片表面金屬離子污染的清洗方法
85、重摻硼直拉硅片的基于快速熱處理的內(nèi)吸雜工藝
86、具有散射光強倍增系統(tǒng)的硅片表面缺陷檢測儀
87、清洗組合物及清洗和制造硅片的方法
88、在硅片上外延生長摻雜錳酸鑭薄膜異質(zhì)結(jié)材料及制備方法
89、一種硅片上金屬硅化物成長質(zhì)量的檢測方法
90、單晶硅片表面制備巰基硅烷稀土自潤滑復(fù)合薄膜的方法
91、單晶硅片表面制備磺酸基硅烷稀土納米復(fù)合薄膜的方法
92、傾斜入射光散射式硅片表面缺陷檢測儀
93、在（111）晶面的硅片上納米梁的結(jié)構(gòu)及制作方法
94、用于大直徑硅片儲存和運輸?shù)陌b容器
95、一種基于絕緣體上硅片的應(yīng)力傳感器芯片
96、硅片熱處理夾具和硅片熱處理方法
97、二維并聯(lián)驅(qū)動的硅片搬運機器人
98、硅單晶的生長方法、生長裝置及由其制造的硅片
99、在絕緣體上硅的硅片上納米寬度諧振結(jié)構(gòu)及其制作方法
100、片盒中硅片狀態(tài)檢測及其圓心重定位方法
101、一種片盒中硅片狀態(tài)檢測及其圓心重定位方法
102、單晶硅片表面氨基硅烷稀土納米薄膜的制備方法
103、一種獲得潔凈區(qū)的硅片快速熱處理工藝方法及其產(chǎn)品
104、單晶硅片表面磷酸基硅烷稀土納米薄膜的制備方法
105、用于制備穩(wěn)定的理想的氧沉淀硅片的方法
106、RF集成電路用絕緣硅片
107、步進投影光刻機雙臺輪換曝光超精密定位硅片臺系統(tǒng)
108、控制重摻銻或砷的硅片中氧含量的方法和裝置
109、電化學(xué)法玻璃片硅片穿孔設(shè)備
110、硅片和生產(chǎn)單晶硅的方法
111、用于把硅片從多盒站裝載及卸入爐子的裝置
112、在減低壓力的情況下?lián)诫s、擴散及氧化硅片的方法和裝置
113、機加工硅片的方法
114、在低溫下氧化硅片的方法和用于該方法的裝置
115、集硅片加熱沉積于一體的化學(xué)氣相沉積方法
116、應(yīng)用集成電路廢棄硅片生產(chǎn)太陽能電池用硅片的制造方法
117、一種利用Cu誘導(dǎo)硅片表面COP的測試方法
118、以GeB共摻直拉硅片作為襯底的P/P硅外延片
119、轉(zhuǎn)動掩模和抗蝕劑硅片的成像干涉光刻方法及其光刻系統(tǒng)
120、硅片的制造方法
121、硅片太陽電池制作方法
122、超薄太陽能級硅片及其切割工藝
123、從硅片切割加工副產(chǎn)物中回收碳化硅的方法
124、硅片對準信號采集與處理系統(tǒng)及使用該系統(tǒng)的處理方法
125、改善半導(dǎo)體單晶硅研磨硅片平行度的方法及其裝置
126、在硅片上復(fù)合ZnO納米線的半導(dǎo)體基板材料及其制備方法
127、一種單硅片體微機械工藝實現(xiàn)的帶靜電自檢測的加速度計
128、硅片低溫直接鍵合方法
129、一種直拉硅片的內(nèi)吸雜工藝
130、帶有平衡塊消振裝置的超精密硅片定位系統(tǒng)
131、硅片清洗刷的清洗裝置及其清洗方法
132、一種測量硅片上多層膜應(yīng)力的方法
133、具有氮/碳穩(wěn)定的氧沉淀物成核中心的理想氧沉淀硅片及其制造方法
134、硅片承載器
135、用于控制理想氧沉淀硅片中潔凈區(qū)深度的方法
136、集成電路硅片表面顆粒清除方法
137、硅片IMD CMP后成膜方法
138、一種具有內(nèi)吸雜功能的摻碳硅片及其制備方法
139、增大硅片單位面積金屬電介質(zhì)金屬電容容量的方法
140、硅片鍵合強度的測量方法
141、 用于測量硅片鍵合強度的裝置
142、硅片淺溝槽隔離刻蝕的方法
143、清洗硅片刻蝕腔室的方法
144、半導(dǎo)體硅片刻蝕工藝的控制方法
145、硅化鎢硅片刻蝕的方法
146、包含金屬和粒子填充的硅片直通通路的集成電路芯片
147、用于清洗硅片的方法
148、硅片邊緣的磨角裝置
149、一種光電開關(guān)動態(tài)調(diào)整硅片偏差的方法及裝置
150、一種硅片的切割方法
151、一種采用十字導(dǎo)軌的光刻機硅片臺雙臺交換系統(tǒng)
152、硅片邊緣曝光系統(tǒng)及其光強控制方法
153、硅片刻蝕設(shè)備及控制腔室上蓋升降的方法
154、硅片刻蝕設(shè)備
155、硅片傳輸設(shè)備的控制系統(tǒng)及方法
156、硅片傳輸過程的調(diào)度方法
157、硅片脫附的方法
158、具有不對稱邊緣輪廓的硅片及其制造方法
159、一種采用過渡承接裝置的光刻機硅片臺雙臺交換系統(tǒng)
160、從硅片切割加工副產(chǎn)物中回收切割液的方法
161、在硅片上生長微米級塊狀結(jié)構(gòu)的氧化銦薄膜的方法
162、硅片裝卸裝置
163、硅單晶的制造方法及硅片的制造方法
164、用于硅片傳輸系統(tǒng)的并發(fā)控制方法
165、超聲波清洗單晶硅片方法及其裝置
166、硅片刻蝕方法
167、氣體分布控制系統(tǒng)及多晶硅柵極刻蝕與硅片淺溝槽隔離刻蝕的方法
168、鑒別硅片主參考面位置是否正確的方法
169、硅片加工過程中的調(diào)度方法
170、硅片淺溝槽隔離刻蝕的方法
171、一種在硅片表面實施的溝槽隔離工藝
172、平衡硅片應(yīng)力的后道互連實施方法
173、用多線切割機將多個薄硅片沿徑向一次性分切的方法
174、在硅片低溫外延生長前去除自然氧化層的方法
175、硅片固定部件
176、硅片刻蝕的方法
177、硅片圖形缺陷在線檢測方法
178、一種采用傳送帶結(jié)構(gòu)的光刻機硅片臺雙臺交換系統(tǒng)
179、一種光刻機硅片平臺水平控制和自動對焦系統(tǒng)及方法
180、一種標準硅片制作方法
181、可實現(xiàn)多工位加工的硅片高速傳輸方法及傳輸系統(tǒng)
182、硅片蝕刻方法
183、半導(dǎo)體硅片液態(tài)源擴散爐
184、減少氧化硅片正面顆粒的方法
185、將光刻機中的硅片在線調(diào)節(jié)到最佳曝光位置的方法
186、用于硅片傳輸系統(tǒng)的服務(wù)器架構(gòu)以及信息交換方法
187、一種硅片表面圖形刻蝕方法及其硅片
188、硅片刻蝕方法
189、刻蝕設(shè)備中的硅片升降用頂針
190、一種具有內(nèi)吸雜功能的摻鍺硅片及其制備方法
191、精密平衡減振硅片臺運動系統(tǒng)
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