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	【名稱】: 《單晶硅生產(chǎn)工藝、單晶硅加工方法、回收工藝》
	【日期】: 2011
	【冊數(shù) 】: 全套
	【原價】: 320
	【現(xiàn) 價】: 280
	【上傳日期】: 2011年6月2日18點39分53秒

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01、一種生產(chǎn)硅鐵、硅鈣和單晶硅的原料的加工方法
02、用于納米光子技術(shù)的單晶硅納米膜的制備方法
03、單晶硅片表面氨基硅烷稀土納米薄膜的制備方法
04、單晶硅片表面磷酸基硅烷稀土納米薄膜的制備方法
05、單晶硅片表面自潔性二氧化鈦納米薄膜的制備方法
06、具有均勻空位缺陷的單晶硅錠和晶片及其制備方法和設(shè)備
07、單晶硅的制造方法及單晶硅以及硅晶片
08、單晶硅晶片及外延片以及單晶硅的制造方法
09、p型單晶硅片的表面處理方法
10、n型單晶硅片的表面處理方法
11、單一軸向排布的單晶硅納米線陣列制備方法
12、單晶硅片表面制備巰基硅烷稀土自潤滑復(fù)合薄膜的方法
13、單晶硅片表面制備磺酸基硅烷稀土納米復(fù)合薄膜的方法
14、利用坩堝旋轉(zhuǎn)以控制溫度梯度的制備單晶硅的方法
15、一種單晶硅拋光片熱處理工藝
16、一種直拉法生長單晶硅用硅籽晶夾持器
17、用于制備具有改善的柵氧化層完整性的單晶硅的方法
18、單晶硅太陽能電池的表面結(jié)構(gòu)及其制作方法
19、硅片和生產(chǎn)單晶硅的方法
20、單晶硅膜的制造方法
21、單晶硅基片表面自組裝稀土納米膜的制備方法
22、通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品
23、一種鋅摻雜的負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻
24、一種錳摻雜的負溫度系數(shù)單晶硅熱敏電阻
25、單晶硅片表面制備巰基硅烷稀土納米復(fù)合薄膜的方法
26、提拉單晶硅用石英玻璃坩堝和制造該坩堝的方法
27、涂覆有金屬電鍍層的單晶硅基片和垂直磁記錄介質(zhì)
28、直拉單晶硅用砷摻雜劑及其制造方法以及使用該摻雜劑的單晶硅的制造方法
29、單晶硅片表面自組裝聚電解質(zhì)稀土納米薄膜的制備方法
30、單晶硅錠及其制造方法
31、提拉單晶硅的裝置
32、通過控制拉速分布制造單晶硅錠和晶片的方法及其產(chǎn)品
33、單晶硅－納米晶立方氮化硼薄膜類P－N結(jié)及其制作方法
34、低濃度鈣雜質(zhì)的石墨支撐容器及其在制造單晶硅中的應(yīng)用
35、單晶硅片抗機械力的提高
36、生長富空位單晶硅的熱屏蔽組件和方法
37、用于單晶硅生長的非Dash縮頸法
38、形成單晶硅層的方法和制造半導(dǎo)體器件的方法
39、熱退火后的低缺陷密度單晶硅
40、從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結(jié)構(gòu)
41、標定單晶硅晶圓晶向的方法
42、制備具有均勻熱過程的單晶硅的方法
43、單晶硅及SOI基板、半導(dǎo)體裝置及其制造方法、顯示裝置
44、平板單晶硅表面的改性方法
45、用于制備低鐵污染單晶硅的裝置和方法
46、用于控制空位為主的單晶硅熱過程的方法
47、單晶硅晶片及單晶硅的制造方法
48、絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法
49、分離單晶硅堝底料中石英的工藝
50、直徑300mm及300mm以上的單晶硅晶片及其制造方法
51、抑制長的大直徑單晶硅生長條紋的直拉生長裝置
52、制備單晶硅片表面完整層的新途徑
53、非線性磁場中單晶硅拉制方法及其裝置
54、摻金、摻鉑單晶硅互換熱敏電阻及其制作方法
55、單晶硅的制造方法和設(shè)備
56、單晶硅生產(chǎn)裝置
57、制造單晶硅的設(shè)備
58、單晶硅生產(chǎn)設(shè)備
59、制造單晶硅的裝置
60、單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭隔熱屏的制備方法
61、單晶硅拉制爐及多晶硅冶煉爐用炭/炭加熱器的制備方法
62、一種在單晶硅基底表面直接制備CrSi硅化物電阻薄膜的方法
63、單晶硅切方機構(gòu)
64、制作單晶硅太陽電池絨面的方法
65、基于霍夫變換的直拉單晶硅棒直徑的測量方法
66、在單晶硅片表面制備碳納米管復(fù)合薄膜的方法
67、單晶硅片表面磷酸基硅烷碳納米管復(fù)合薄膜的制備方法
68、單晶硅太陽電池絨面的制備方法
69、單晶硅制備中稀土鑭系基合金吸氣劑提純氬氣與氬氣回收工藝
70、生產(chǎn)單晶硅的方法
71、直拉法單晶硅生長過程中的熔體液面位置檢測方法

單晶硅生產(chǎn)工藝、單晶硅加工方法、回收工藝

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