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	【名稱】: 《氮化鎵生產(chǎn)技術(shù)和工藝》
	【日期】: 2011
	【冊數(shù) 】: 全套
	【原價(jià) 】: 350
	【現(xiàn) 價(jià) 】: 280
	【上傳日期】: 2011年5月30日18點(diǎn)55分0秒

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01、氮化鎵單晶的生長方法氮化鎵單晶基板及其制造方法
02、氮化鎵基圓盤式單色光源列陣
03、氮化鎵系化合物半導(dǎo)體磊晶層結(jié)構(gòu)及其制造方法
04、往氮化鎵結(jié)晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
05、一種提高氮化鎵(GaN)基半導(dǎo)體材料發(fā)光效率的方法
06、一種無機(jī)化合物氮化鎵納米線的制取方法
07、晶態(tài)氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導(dǎo)體器件
08、以多孔氮化鎵作為襯底的氮化鎵膜的生長方法
09、一種用于氮化鎵外延生長的圖形化襯底材料
10、一種改變氫化物氣相外延法生長的氮化鎵外延層極性的方法
11、一種因干法刻蝕受損傷的氮化鎵基材料的回復(fù)方法
12、非極化的復(fù)合氮化鎵基襯底及生產(chǎn)方法
13、導(dǎo)電的非極化的復(fù)合氮化鎵基襯底及生產(chǎn)方法
14、導(dǎo)電的非極化的復(fù)合氮化鎵基襯底及生產(chǎn)方法
15、垂直結(jié)構(gòu)的非極化的氮化鎵基器件及側(cè)向外延生產(chǎn)方法
16、氮化鎵薄膜材料的制備方法
17、氮化鎵類半導(dǎo)體元件及其制造方法
18、提高氮化鎵基高電子遷移率晶體管性能的結(jié)構(gòu)及制作方法
19、雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)氮化鎵基高電子遷移率晶體管結(jié)構(gòu)及制作方法
20、一種高純度氮化鎵納米線的制備生成方法
21、單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
22、導(dǎo)電和絕緣準(zhǔn)氮化鎵基生長襯底
23、應(yīng)用于基于氮化鎵材料的包封退火方法
24、氮化鎵單晶基板及其制造方法
25、三甲基鎵、其制造方法以及從該三甲基鎵成長的氮化鎵薄膜
26、一種采用新型助熔劑熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
27、生長高阻氮化鎵外延膜的方法
28、生長高遷移率氮化鎵外延膜的方法
29、在硅襯底上生長碳化硅\氮化鎵材料的方法
30、鋁鎵氮/氮化鎵高電子遷移率晶體管的制作方法
31、氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的金屬插入層及制備方法
32、無掩膜橫向外延生長高質(zhì)量氮化鎵
33、氮化鎵透明導(dǎo)電氧化膜歐姆電極的制作方法
34、氮化鎵(GaN)類化合物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
35、氮化鎵系發(fā)光組件及其制造方法
36、富鎵氮化鎵薄膜的制造方法
37、氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的外延結(jié)構(gòu)及其制作方法
38、通過氣相外延法制造具有低缺陷密度的氮化鎵膜的方法
39、硅襯底上生長低位錯氮化鎵的方法
40、一種多電極氮化鎵基半導(dǎo)體器件的制造方法
41、燒結(jié)的多晶氮化鎵
42、氫化物氣相外延生長氮化鎵膜中的低溫插入層及制備方法
43、一種提高氮化鎵基材料外延層質(zhì)量的襯底處理方法
44、改進(jìn)氫化物氣相外延生長氮化鎵結(jié)晶膜表面質(zhì)量的方法
45、氮化鎵外延層的制造方法
46、準(zhǔn)氮化鋁和準(zhǔn)氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法
47、導(dǎo)電和絕緣準(zhǔn)氮化鎵基生長襯底及其低成本的生產(chǎn)技術(shù)和工藝
48、氮化鎵基半導(dǎo)體器件及其制造方法
49、I I I族氮化物半導(dǎo)體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導(dǎo)體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導(dǎo)體、......
50、一種用于氮化鎵外延生長的復(fù)合襯底
51、薄膜電極、采用它的氮化鎵基光學(xué)器件及其制備方法
52、局部存在有單晶氮化鎵的基底及其制備方法
53、制備氮化鎵單晶薄膜的方法
54、制造氮化鎵半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
55、氮化鎵基ⅢⅤ族化合物半導(dǎo)體LED的發(fā)光裝置及其制造方法
56、溶膠－凝膠法制氮化鎵納米多晶薄膜
57、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積氮化鎵基薄膜外延生長設(shè)備
58、用于生長氮化鎵的基片、其制法和制備氮化鎵基片的方法
59、氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的磊晶結(jié)構(gòu)及其制作方法
60、光學(xué)讀出的氮化鎵基單量子阱超聲波傳感器
61、一種檢測氮化鎵基材料局域光學(xué)厚度均勻性的方法
62、基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體裝置及其制造方法
63、用橫向生長制備氮化鎵層
64、氮化鎵基藍(lán)光發(fā)光二極管芯片的制造方法
65、一種控制氮化鎵(GaN)極性的方法
66、高P型載流子濃度的氮化鎵基化合物薄膜的生長方法
67、生產(chǎn)氮化鎵膜半導(dǎo)體的生產(chǎn)設(shè)備以及廢氣凈化設(shè)備
68、高亮度氮化鎵基發(fā)光二極管外延片的襯底處理方法
69、往氮化鎵結(jié)晶摻雜氧的方法和摻雜氧的n型氮化鎵單晶基板
70、氮化鎵單晶膜的制造方法
71、亞穩(wěn)態(tài)巖鹽相納米氮化鎵的溶劑熱合成制備方法
72、氮化鎵及其化合物半導(dǎo)體的橫向外延生長方法
73、一種氮化鎵材料的干法刻蝕方法
74、氮化鎵系發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)及其制造方法
75、氮化鎵晶體的制造方法
76、氮化鎵結(jié)晶的制造方法
77、氮化鎵晶體的制備方法
78、氮化鎵單晶襯底及其制造方法
79、光輻射加熱金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積氮化鎵生長方法與裝置
80、具有低位錯密度的氮化鎵族晶體基底部件及其用途和制法
81、氮化鎵外延層的制造方法
82、一種利用熔鹽法生長氮化鎵單晶的方法
83、一種氮化鎵單晶的熱液生長方法
84、一種生長氮化鎵及其化合物薄膜的方法
85、一種制備氮化鎵基 LED的新方法
86、氮化鎵薄膜制備技術(shù)及專用裝置
87、一種非結(jié)晶與多晶結(jié)構(gòu)的氮化鎵系化合物半導(dǎo)體的成長方法
88、氮化鎵化合物半導(dǎo)體制造方法
89、氮化鎵陶瓷體的制備方法
90、單晶氮化鎵基板及其生長方法與制造方法
91、氮化鎵半導(dǎo)體激光器
92、單晶氮化鎵基板，單晶氮化鎵長晶方法及單晶氮化鎵基板制造方法
93、橫向外延生長高質(zhì)量氮化鎵薄膜的方法
94、氮化鎵晶體的制造方法
95、氮化鎵層的制備方法
96、氮化鎵類化合物半導(dǎo)體等的干法刻蝕方法
97、采用多量子阱制備綠光氮化鎵基LED外延片
98、氮化鎵熒光體、其制造方法及使用該熒光體的顯示裝置
99、以氮化鎵為基底的半導(dǎo)體發(fā)光裝置
100、在含有非氮化鎵柱體的基板上制造氮化鎵半導(dǎo)體層并由此制造氮化鎵半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法
101、氮化鎵的塊狀單結(jié)晶的制造方法
102、氮化鎵層在藍(lán)寶石基體上的懸掛外延生長

氮化鎵生產(chǎn)技術(shù)和工藝

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